| 型号 | APT34F100B2 |
| 厂商 | Microsemi Power Products Group |
| 描述 | MOSFET N-CH 1000V 35A T-MAX |
| APT34F100B2 PDF | ![]() |
| 代理商 | APT34F100B2 |
| 标准包装 | 30 |
| 系列 | POWER MOS 8™ |
| FET 型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| FET 特点 | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 1000V(1kV) |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 35A |
| 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 380 毫欧 @ 18A,10V |
| Id 时的 Vgs(th)(最大) | 5V @ 2.5mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 305nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 9835pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 1135W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 变式 |
| 供应商设备封装 | T-MAX? [B2] |
| 包装 | 管件 |